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國(guó)際整流器公司(International Rectifier，IR)擴(kuò)充 StrongIRFET 系列，針對(duì)高效能運(yùn)算與通訊等應(yīng)用推出20到30V的元件，并為工業(yè)應(yīng)用推出60V元件，包括電力工具、輕型電動(dòng)車(chē)轉(zhuǎn)換器、直流馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、鋰離子電池組保護(hù)及開(kāi)關(guān)模式電源二次側(cè)同步整流。
IR StrongIRFET 系列新增20V IRL6283M 元件可在超薄的30mm2 DirectFET 中型罐封裝內(nèi)配備低至500mΩ(典型值)的極低導(dǎo)通電阻(RDS(on))，以大幅降低傳導(dǎo)損耗，因而非常適合動(dòng)態(tài) ORing 和電子保險(xiǎn)絲(eFuse)應(yīng)用。
新元件可從3.3V、5V或12V的電源軌作業(yè)，而且當(dāng)電流達(dá)到20A時(shí)，更比尺寸同為30 mm2的同類(lèi)型最理想PQFN元件降低15%的損耗，使設(shè)計(jì)師能夠在高電流應(yīng)用內(nèi)減少元件數(shù)量。與 DirectFET 系列的其他元件一樣， IRL6283M 提供有效增強(qiáng)電氣和溫度效能的上層散熱功能，以及旨在改善可靠性的無(wú)鍵合線設(shè)計(jì)。
此外， DirectFET 封裝符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令(RoHS)的所有要求，例如完全不含鉛的物料清單可迎合生命周期長(zhǎng)的設(shè)計(jì)。同類(lèi)型的高效能封裝包含了高鉛晶片，雖然獲豁免不受電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令第7(a)項(xiàng)管限，但豁免將于2016年到期。IR的StrongIRFET 系列同時(shí)提供采用了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)占用面積的 PQFN 封裝元件，并備有不含鉛且符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令的環(huán)保物料清單。
全新的60V StrongIRFET 功率 MOSFET 系列同樣配備可提升低頻率應(yīng)用效能的極低導(dǎo)通電阻 (RDS(on))、極高的載電流能力、軟本體二極體，以及有助于提高噪音免疫能力的3V典型臨限電壓。
該系列元件提供插入式及表面安裝D2-PAK封裝選擇，包括采用穿孔式封裝的IRFB7530、IRFP7530、IRFB7534、IRFB7537、IRFP7537、IRFB7540、IRFB7545與IRFB7546，以及采用表面安裝D2-PAK封裝的IRFS7530-7P、IRFS7534-7P、IRFS7530、IRFS7534、IRFS7537與IRFS7540，均完全通過(guò)工業(yè)最高雪崩電流等級(jí)的雪崩測(cè)試，能夠?yàn)橐髧?yán)格的工業(yè)應(yīng)用提供最堅(jiān)固耐用的解決方案。